Actualmente
vivimos en una época caracterizada por la cantidad de dispositivos
conectados y la generación de gran cantidad de datos, a los que hay que
almacenar y acceder rápidamente a los mismos para permitir su
procesamiento. En este sentido, las compañías Intel y Micron han presentado hoy, mediante una keynote en directo, su nueva tecnología llamada 3D XPoint, creada desde cero, la cual es fruto de más de una década de investigación y desarrollo.
Con
esta nueva tecnología, ya en producción, ambas compañías quieren hacer
frente a los nuevos desafíos tecnológicos que se presentan en la era
actual, señalando acerca de la misma que es una clase de memoria no
volátil con latencias mucho más bajas, siendo hasta 1.000 veces más
rápidas que las memorias NAND Flash, que tenemos actualmente disponibles
en pendrives y en las unidades de almacenamiento de estado sólido
(SSD). La arquitectura de la nueva tecnología prescinde totalmente de
transistores, basándose en el cambio de propiedades de los compuestos
únicos de los materiales, los cuales van variando sus resistencia,
formando un patrón de tablero tridimensional complejo, ofreciendo hasta
diez veces de densidad respecto a la memoria convencional.
Resalta
además que se trata de una tecnología de alto rendimiento, alta
resistencia y de alta capacidad de almacenamiento, todo ello a un precio
asequible. En este sentido, una misma unidad de esta memoria permite
almacenar unos 128 Gb de datos.
Respecto a las aplicaciones de la
nueva tecnología, pueden ir desde el aprendizaje automático para el
seguimiento en tiempo real de las enfermedades hasta el ofrecimiento de
capacidades de inmersión en juegos de ordenador bajo resolución a 8K
(UHDV), según indica la compañía en un comunicado.
Fuente: http://wwwhatsnew.com